GOODRAM IRDM PRO P54S Gen5 Dysk SSD 4TB 5x4 2280 12000/11000MB/s

Opis Produktu

GOODRAM IRDM PRO Gen5 SSD 4TB M.2 2280 PCIe 5.0

Dysk IRDM PRO GEN5 marki GOODRAM to rewolucyjna pamięć SSD oparta na najnowszym interfejsie PCIe 5.0, oferująca niezrównane prędkości odczytu i zapisu odpowiednio 12000 MB/s i 11000 MB/s. Stworzony z myślą o najbardziej wymagających użytkownikach, zapewnia maksymalną wydajność, bezpieczeństwo danych i innowacyjne chłodzenie grafenowe.

Najważniejsze Funkcje

1. Rewolucyjne Prędkości Transferu

   • Odczyt: 12000 MB/s
   • Zapis: 11000 MB/s
     Dzięki technologii PCIe 5.0, IRDM PRO GEN5 niemal dwukrotnie przewyższa osiągi dysków PCIe 4.0.

2. Zaawansowane Chłodzenie Graphreeze

   • Podwójna grafenowa powłoka skutecznie odprowadza ciepło, zapewniając stabilność nawet podczas intensywnego użytkowania.

3. Kompatybilność z DirectStorage

   • Technologia Microsoft DirectStorage umożliwia szybsze ładowanie gier i aplikacji, dzięki bezpośredniemu przesyłowi danych do GPU.

4. Bezpieczeństwo i Trwałość

   • Wysoki współczynnik TBW (3000 TB) i technologie takie jak ECC, Wear Leveling oraz TRIM gwarantują długą żywotność i ochronę danych.

5. Wszechstronność i Wydajność

   • Idealny dla gamingu, zaawansowanych aplikacji graficznych, obróbki wideo w 8K oraz pracy z dużymi bazami danych.

Specyfikacja Techniczna

• Model: IRDM PRO Gen5
• Typ dysku: SSD
• Format: M.2 2280
• Pojemność: 4 TB
• Interfejs: PCI-Express 5.0
• TBW: 3000 TB
• Prędkość odczytu: 12000 MB/s
• Prędkość zapisu: 11000 MB/s
• IOPS: 1.4 mln (odczyt i zapis)
• Wymiary: 22 mm x 80 mm x 3.6 mm
• Technologie: Graphreeze, DirectStorage, ECC, Wear Leveling, TRIM

Zalety Produktu

• Ultraszybki transfer danych – idealny do gier i aplikacji wymagających wysokiej wydajności.
• Nowoczesne chłodzenie grafenowe – stabilność pracy nawet przy intensywnym obciążeniu.
• Kompatybilność z najnowszymi technologiami – zapewnia pełne wykorzystanie mocy PCIe 5.0.
• Trwałość i niezawodność – zabezpieczenia przed błędami i równomierne zużycie pamięci.